Ultra dünne Beschichtungsschicht Pd beschichtetes Kupferverbindungsdraht für QFN / QFP-Verpackungen

1. Überlegene Oxidationsbeständigkeit

Die ultradünne Palladiumbeschichtung bildet eine dichte und stabile Schutzschicht auf der Kupferoberfläche und reduziert effektiv das Oxidationsrisiko während der Lagerung, Handhabung und Hochtemperatur-Bondprozessen. Dies verbessert die Langzeitverlässlichkeit im Vergleich zu blankem Kupferdraht erheblich.

2. Hervorragende elektrische Leitfähigkeit

Mit einem hochreinen Kupferkern behält der Pd-beschichtete Kupferdraht eine herausragende elektrische Leitfähigkeit bei und gewährleistet eine effiziente Signalübertragung und einen geringen elektrischen Widerstand in Halbleiterverbindungen.

3. Kostengünstige Alternative zu Golddraht

Palladiumbeschichteter Kupferdraht bietet einen hochgradig wettbewerbsfähigen Ersatz für Gold-Bonddraht, indem er die Materialkosten erheblich senkt und gleichzeitig eine vergleichbare Bondleistung und Zuverlässigkeit beibehält.

4. Verbesserte mechanische Festigkeit

Im Vergleich zu herkömmlichem Golddraht bietet Pd-beschichteter Kupferdraht eine höhere Zugfestigkeit und eine bessere Schlaufenstabilität, wodurch er sich für Verpackungsdesigns mit feinerem Pitch, hoher Dichte und geringer Schlaufenhöhe eignet.

5. Verbesserte Stabilität der intermetallischen Verbindungen (IMC)

Die Palladiumschicht hilft, die Bildung von intermetallischen Verbindungen an der Bondschnittstelle zu regulieren, übermäßiges IMC-Wachstum zu reduzieren und das Risiko von spröden Brüchen unter thermischer Belastung zu minimieren.

6. Hohe Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen

Pd-beschichteter Kupferdraht zeigt eine hervorragende Leistung in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit (z. B. 85°C / 85% RH-Tests) und ist daher ideal für Automobilelektronik, Leistungselektronik und Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit.

7. Kompatibilität mit vorhandener Bondausrüstung

Das Material ist mit Standard-Automatbondsystemen kompatibel und ermöglicht eine nahtlose Integration in bestehende Halbleiterverpackungslinien ohne größere Prozessänderungen.

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